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具有降低的干扰的三维存储器器件编程.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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具有降低的干扰的三维存储器器件编程.pdf

    一种3D存储器器件可以包括第一组存储器层、在第一组存储器层上方的第二组存储器层、以及在第一存储器层与第二存储器层之间的第一虚设存储器层。该3D存储器器件可以包括多个NAND存储器串，多个NAND存储器串均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层。该3D存储器器件可以包括字线(WL)驱动电路，在对第一组存储器层中的一个进行编程时，该WL驱动电路可以被配置为在预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。第二预充电电压可以与第一预充电电压重叠，并且在第一预充电电压之前坡降。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112771617 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202180000130.3 (51)Int.Cl.

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