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用于确定半导体样本的热施主浓度的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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用于确定半导体样本的热施主浓度的方法.pdf

    本发明涉及一种用于确定由半导体材料制成的测试样本的热施主浓度([TD]test)的方法。该方法包括以下步骤：‑提供(S11)由相同半导体材料制成且具有已知热施主浓度([TD]ref)的基准样本；‑针对包含在0.65eV和0.8eV之间的至少一个光子能，用光致发光工具测量(S12)所述基准样本的光致发光信号，所述基准样本的光致发光信号在0.65eV至0.8eV的光子能范围之间具有强度峰值；‑根据所述基准样本的光致发光信号，确定(S13)在热施主浓度和表示强度峰值的参数之间的实验关系；‑针对包含在0

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112805556 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 201980066403.7 埃莉诺 ·莱蒂　

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