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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及一种NAND闪存的位线开关电路,其包括:选择部,其包括低压晶体管,以当读取模式及放电时选择位线;以及切断部,其位于所述选择部和单元阵列之间以选择一对位线中的一个,用于切断在擦除模式下输出端因施加到位线的高电压而受影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802528 A
(43)申请公布日
2021.05.14
(21)申请号 20201
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