一种晶体生长控制方法和系统.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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本说明书实施例公开了一种晶体生长控制方法,包括:获取目标时间片内的实际晶体参数;获取目标时间片内的参考晶体参数;基于实际晶体参数和参考晶体参数,确定温度控制参数;基于实际晶体参数和参考晶体参数,确定提拉控制参数;分别基于温度控制参数和提拉控制参数,调节目标时间片之后的下一个时间片的温度和提拉速度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112789371 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 202180000165.7 C30B 15/28 (2006.01)

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