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- 2023-06-06 发布于四川
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本公开公开了一种芯片制造方法及芯片结构。所述方法包括：在第一晶圆上制作多个第一掩膜单元，第一掩膜单元包括处理器簇群、第一存储器、存储通道、串行通道、控制器和总线接口模块中的一种或多种；在第一晶圆上制作第一连接点；在第二晶圆上制作多个第二掩膜单元，第二掩膜单元包括第二存储器、扩展模块和总线互联模块中的一种或多种；在第二晶圆上制作第二连接点；将第一晶圆和第二晶圆通过第一连接点和第二连接点键合在一起，对晶圆进行切割，切割得到的芯片尺寸与第二掩膜单元的尺寸相同。本公开技术方案可以大大节省芯片生产时产生的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112805820 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 201880098299.5 (51)Int.Cl.
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