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- 2023-06-06 发布于四川
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本申请提供一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件,包括:在电光晶体基片工艺面制备掩模;如果掩模与光波导结构相反,则由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子,在电光晶体基片内形成波导层;如果掩模与光波导结构相同,则由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂轻质量离子,在电光晶体基片内形成波导层,其中,波导层中没有掺杂轻质量离子部分形成光波导,波导层中掺杂轻质量离子部分形成波导包覆层,光波导的折射率大于波导包覆层的折射率,通过在电光晶体基片中掺杂重质量离子或轻质量离子,形成光
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112764245 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202110104258.6 G02F 1/03 (2006.01)
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