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一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件.pdfVIP

一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件.pdf

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    本发明涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层的两侧不设置所述栅极，其中，所述栅极包括栅介质层和栅金属层；源极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；漏极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。本发明的GaN晶体管器件具有较小的开态电阻，同时具有较大的电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112825329 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 201911150149.7 H01L 29/423 (2006.01)

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