半导体工艺与制造技术习题答案(第四章 氧化).pdfVIP

第四章 氧化 1.简述几种常用的氧化方法及其特点。 答：（1）干氧氧化 在高温下，氧气与硅反应生成SiO2 ，其反应为 干氧氧化的生成的SiO2 结 构致密、干燥、均匀性和重复性好，掩蔽能力强，与光刻胶粘附性好，然而干氧氧化法的生 长速率慢，所以经常同湿氧氧化方法相结合生长SiO2 。 （2 ）水汽氧化 在高温下，硅与高纯水产生的蒸汽反应生成SiO2 ，其反应为： 产生的 分子沿 界面或者以扩散方式通过 层散离。因为水比氧在 中有更 高的扩散系数和大得多的溶解度，所以水汽氧化的速率一般比较高。 （3 ）湿氧氧化 湿氧氧化的氧化剂是通过高纯水的氧气，高纯水一般被加热到 95 左右。通过高纯水的 氧气携带一定水蒸气，所以湿氧氧化的氧化剂既含有氧，又含有水汽。因此， 的生长速 率介于干氧和水汽氧化之间，与氧气流量、水汽的含量有着密切的关系。 （4 ）氢氧合成氧化 采用高温合成技术进行水汽氧化，在这种氧化系统中，氧化剂是由纯氢和纯氧直接反应生 成的水汽，可在很宽的范围内变化 的压力。 （5 ）快速热氧化 使用快速热氧化设备进行氧化，用于制造非常薄（30 埃）的氧化层。 2.说明 的结构和性质，并简述结晶型 和无定型 的区别。 答： 的中心是Si 原子，四个顶点是O 原子，顶角上的4 个O 原子正好与Si 原子的4 个价电子形成共价键，相邻的Si-O 四面体是靠Si-O-Si 键桥连接。其密度一般为2.20g/ , 熔点 1700 左右，折射率为波长的函数，密度较大则折射率较大，化学性质十分稳定，室 温下只与HF 发生反应。 结晶型 由Si-O 四面体在空间规则排列构成，每个顶角的O 原子与两个相邻四面体中 心的Si 原子形成共价键，Si-O-Si 键桥的角度为 144 ；无定型 的Si-O 四面体的空间排列 没有规律，Si-O-Si 键桥的角度不固定，在110 之间，平均值 .相比之下，无定型 网络疏松，不均匀，有孔洞。 3. 以 为例说明 的掩蔽过程。 答：当 与 接触时， 就转变为含磷的玻璃体 （PSG ），其变化过程如图所示。 （a ）扩散刚开始，只有靠近表面的 转变为含磷的玻璃体； （b）随着扩散的进行，大部分 层转变为含磷的玻璃体； （c ）整个 层都转变为含磷的玻璃体； （d）在 层完全转变为玻璃体后，又经过一定时间， 层保护的硅中磷已经扩进一 定深度。 4.简述杂质在 的存在形式及如何调节 的物理性质。 答：杂质在 中有网络构成者和网络改变者两种存在形式。 一些杂质有意掺入热淀积 中，用来改善它的物理性质和电学性质，例如硼、磷，称为 网络构成者。网络构成者可以调节有氧桥和无氧桥的比例，使得 的强度上升或者下降。 存在于 网络间隙的杂质称为网络疏松改变者。一般以离子形式存在，离子半径较大， 替代硅的可能性小。例如 Na、Ca 、K、Pb、Ba 等都是网络改变改变者。网络改变者往往以 氧化物形式进入