半导体工艺与制造技术习题答案(第三章).pdfVIP

第三章 扩散 1.分别简述RVD 和GILD 的原理，它们的优缺点及应用方向。 答：（1）RVD （快速气相掺杂） 原理：利用快速热处理过程（RTP）将处在掺杂气氛中的硅片快速均匀加热至所需要的温 度，同时掺杂剂发生化学反应产生杂质原子，杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固 态，然后进行固相扩散，完成掺杂目的。 优缺点：不受注入所带来的一些效应的影响。如：沟道效应、晶格损伤或使硅片不带电等。 然而，需要在较高温度下完成。杂质分布是非理想的指数形式，类似固态扩散，其峰值处于 表面处。 应用方向：DRAM 中电容的掺杂、以及CMOS 浅源漏结的制造等。 （2 ）GILD （气体浸没激光掺杂） 原理：用准分子激光器照射使硅表面变为液体层，气态掺杂源热解或光解产生的杂质原子 通过液相扩散进入该液体层，快速并均匀扩散至整个融化层中，激光照射停止后，液体层结 晶杂质进入激活的晶格位置，形成均匀掺杂的表面薄层。 优缺点：只有表面受到照射且时间较短，表面杂质分布均匀陡峭，硅体内杂质处于低温， 杂质分布不受影响。 应用方向：突变型分布及超浅结的掺杂。 2.集成电路中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？ 答：按原始杂质源在室温下的相态，可分为固态源、液态源和气态源扩散。固态源扩散典 型的有开管扩散、箱法扩散和涂源法扩散。其中开管扩散具有良好的稳定性和重复性；箱法 扩散具有良好的均匀性；涂源法扩散工艺简单，但表面浓度难以控制，只适用于杂质浓度要 求不高的器件制造。液态源扩散相对于固态源扩散来说，系统简单，操作方便，成本低，效 率高，重复性和均匀性都很好，但对源瓶的密封性有较高的要求。气态源扩散系统则更为简 洁，但其气态杂质多为氢化物或卤化物，毒性很大，易燃易爆，具有一定的危险性。 3.杂质原子的扩散方式有几种？它们各自发生的条件是什么？ 答：杂质原子的扩散方式主要有替位式和间隙式两大类。其中替位式分为交换式和空位式。 交换式是由于相邻两原子有足够高的能量，互相交换位置；空位式是由于有晶格空位，相邻 原子能够移动过来。间隙式分为挤出机制和 Frank-Turnbull 机制，挤出机制中，杂质原子踢 出晶格位置上的原子，进入晶格位置；Frank-Turnbull 机制中，杂质原子以间隙的方式进行 扩散运动，遇到空位可被俘获，成为替位杂质。 4.从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。 氧化增强扩散机理：硅氧化时，在Si-SiO2 界面附近产生了大量的间隙 Si 原子，过剩的间 隙Si 原子可以和替位B 相互作用，从而使原来处于替位的B 变为间隙B 。当间隙B 的近邻 晶格没有空位时，间隙B 就以间隙方式运动；如果间隙 B 的近邻晶格出现空位时，间隙B 又可以进入空位变为替位 B 。这样，杂质B 就以替位-间隙交替的方式运动，其扩散速度比 单纯的替位式扩散要快。 氧化阻滞扩散机理：用锑代替硼的扩散实验表明，氧化区正下方锑的扩散结深小于保护区 下方的扩散结深，说明在氧化过程中锑的扩散被阻滞。这是因为控制锑扩散的主要机制是空 位。在氧化过程中，所产生的过剩间隙硅原子在向硅内扩散的同时，不断地与空位复合，使 空位浓度减小，从而降低锑的扩散速度。 5.写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。 答：菲克第一定律表达式为： 含义：杂质的扩散流密度J 正比于杂质浓度梯度 正比于杂质在基体中的扩散系数D （体现 了温度T 与扩散流密度J 的关系）。 菲克第二定律表达式为：