一种N型碳化硅晶体的制备方法及生长装置.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种N型碳化硅晶体的制备方法及生长装置.pdf

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本发明提供了一种N型碳化硅晶体的制备方法及生长装置，该方法包括:(1)将原料放置坩埚的高温区，籽晶放置在坩埚的低温区，所述坩埚的顶部外壁向内凹陷形成环形气槽；将组装好的坩埚置于长晶炉的炉体内，使得环形气槽靠近所述炉体的通气孔处；(2)长晶阶段中，通过通气孔向炉体内通入氮源气体，控制长晶温度和压力，在所述籽晶上生长N型碳化硅晶体。通过环形气槽靠近于炉体的通气孔位置处，通入的气体可沿着环形气槽流动，气流流速较快，气体扩散到坩埚内部，使得坩埚内远离中心轴线热量传输加快，减少了坩埚径向温度梯度，提高了晶

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112813499 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202011637816.7 C30B 23/00 (2006.01) (22)申请日 2020.12

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