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一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法.pdfVIP

一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法.pdf

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    本发明公开了一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法，通过设置超声波换能器探头与电磁铁，电磁铁的磁力作用能够增强刻蚀的速率，提高刻蚀孔的垂直性，超声波和磁场耦合作用高深宽比刻蚀硅基，减少表面损伤，降低机械应力，能够有效保证刻蚀的精度以及侧壁的质量，形成合理的高深宽比的硅微通道，保证使用效果，有利于上述基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构在微纳米制造技术领域的推广及应用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802739 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202011619697.2 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址

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