一种低后脉冲硅光电倍增管结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种低后脉冲硅光电倍增管结构及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种低后脉冲硅光电倍增管结构及其制作方法，属于半导体光电探测器芯片加工技术领域。该结构包括多个硅光电倍增管单元、多个隔离槽结构、硅外延层、高反射金属层、永久键合胶层和载体片；硅光电倍增管单元部分嵌入硅外延层，部分固定在硅外延层上表面；隔离槽结构嵌入硅外延层，用于隔离相邻的硅光电倍增管单元；高反射金属层固定在硅外延层下表面；载体片通过永久键合胶层永久键合在高反射金属层下表面。本发明可以大幅度降低硅光电倍增管结构后脉冲，同时降低制作工艺难度和制作成本。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115732575 A (43)申请公布日 2023.03.03 (21)申请号 202211411162.5 H01L 31/107 (2006.01)