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本发明提供一种反极性红光LED芯片及其封装方法,该LED芯片以Si衬底为基础,由下而上依次为第二金属键合层、第一金属键合层、镜面层、SiO2导电孔层、第十一外延层、第十外延层、第九外延层、第八外延层、第七外延层、第六外延层、第五外延层、第四外延层、主电极;Si衬底下面为背电极;反极性红光LED芯片的版图形状设计成规则长条形,电极设置在偏离规则长条形的中心并靠近封装焊线的一侧。本发明将LED芯片设计成规则长条形,电极设置在偏离规则长条形的中心并靠近封装焊线的一侧,同样的面积下,比正方形芯片亮度要高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802937 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110379962.2
(22)申请日 2021.04.09
(71)申请人 南昌凯迅光电有限公司
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