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- 2023-06-07 发布于四川
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本发明涉及一种基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管。其包括半导体衬底，在所述半导体衬底上设置P型阱区、N型阱区以及低掺杂本征半导体区，P型阱区通过低掺杂本征半导体区与N型阱区间隔，低掺杂本征半导体区分别与P型阱区、N型阱区邻接；还包括正极区结构、负极区结构以及分裂栅区结构，正极区结构与与P型阱区适配连接，负极区结构与N型阱区适配，分裂栅区结构位于正极区结构与负极区结构之间；本发明能有效地降低PIN二极管的开关损耗，提高PIN二极管的开关速度，还可以实现碳化硅PIN二极管的自修复，进而提高PI
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112838129 B
(45)授权公告日 2022.04.05
(21)申请号 202110025621.5 US 2015349110 A1,2015.12.03
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