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本发明公开一种降低硅基异质外延生长三五族半导体中位错缺陷密度的方法,包括:用PECVD在硅(001)衬底上沉积二氧化硅或氮化硅薄膜作为掩膜层;制作出掩膜图形然后在其上制作出V型槽得到图形化硅衬底;选择性外延生长三五族半导体材料;在完成生长的材料表面沉积二氧化硅薄膜,将外延生长的三五族材料完全覆盖,并进行热处理与CMP表面平整化;通过键合将生长的三五族半导体材料转移到另一个硅(001)衬底上,将三五族外延层缺陷密度最高的底部反转过来;去除原硅(001)衬底及原V型槽底部的高缺陷密度三五族半导体,保
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820630 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202011641242.0
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 中山大学
地址 51
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