一种功率半导体芯片并联结构及其驱动回路过流失效抑制方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种功率半导体芯片并联结构及其驱动回路过流失效抑制方法.pdf

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本发明公开了一种功率半导体芯片并联结构及其驱动回路过流失效抑制方法，属于电力电子器件技术领域。本发明设计了一种新型的功率半导体芯片并联结构，包括功率漏极端口、功率源极端口、辅助源极端口、栅极端口和若干个并联的功率半导体芯片，基于对并联功率半导体芯片的源极至辅助源极过流失效现象的分析，在辅助源极和芯片源极间加入了呈正温度特性的热敏元件，在正常运行过程中可充当驱动回路电阻，不影响运行；在并联结构老化或故障状态下，失衡电流流经热敏电阻，使其升温以及阻值增大，抑制芯片驱动回路上失衡电流的幅值，避免驱动回

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112886558 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202110073570.3 (22)申请日 2021.01.20 (71)申请人浙江大学地址 31