GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器.pdf

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本公开涉及系统、电路和方法。示例系统包括光发射器件、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。光发射器件耦合到供电电压。第一场效应晶体管串联地耦合在光发射器件和地之间。第二场效应晶体管包括耦合到供电电压的漏极端子，并包括均耦合到地的源极端子和栅极端子。光发射器件被配置为基于通过第一场效应晶体管的电流发射激光光脉冲。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112886385 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202110073640.5 (22)申请日 2017.10.13 (30)优先权数据