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本发明公开了一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜及制备方法，该薄膜为在基底上的多层结构的金属薄膜，其自基底向外分别是铬层薄膜、铜层薄膜和银层薄膜，各层薄膜的厚度分别为和基于铬对玻璃材料的粘接性最好，用铬层作为最底层，蒸镀在基底表面，并用于连接多碱光电阴极引出阴极电流。铜和铬、银两种金属都具有良好的粘接性，用铜层作为中间层，蒸镀在铬层边缘位置，用于导电和粘接铬层和银层。银与铜、铟锡合金拥有良好的粘接性，用银层作为金属薄膜表面层，蒸镀位置与铜层一致，用于导电和管壳封接，保证微光像增强器的高真空度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112885682 B
(45)授权公告日 2022.07.26
(21)申请号 202110046919.4 H01J 31/50 (2006.01)
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