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- 2023-06-08 发布于四川
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本申请涉及晶圆级测试领域,具体涉及用于晶圆级测试的芯片和晶圆。其中,用于晶圆级测试的芯片,用于晶圆级测试的芯片包括:半导体衬底,半导体衬底包括相对的正面和和背面;半导体器件有源区,半导体器件有源区形成于半导体衬底的正面;互连层,互连层形成于半导体衬底的正面上,包括互连区和测试区;互连焊盘,互连焊盘形成于互连区中,通过互连结构与半导体器件有源区电性耦合;测试焊盘,测试焊盘形成于测试区中,通过键合线与互连焊盘电性耦合。晶圆包括若干个呈阵列式排布的上述用于晶圆级测试的芯片,相邻两个芯片之间形成划片槽。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864130 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110023414.6
(22)申请日 2021.01.08
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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