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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明涉及单晶硅生成设备技术领域，具体地说，涉及一种直拉单晶硅生产用的熔硅装置及熔硅方法，包括熔硅炉，熔硅炉内安装有用于对多晶硅原料进行盛装的熔硅坩埚以及对熔硅坩埚进行加热的石墨加热器，熔硅坩埚的顶部安装有保温盖结构，保温盖结构包括加料漏斗和保温盖。本发明通过在熔硅坩埚顶部安装的保温盖，可以减小熔硅坩埚的加热空间，使得熔硅坩埚内的多晶硅原料可以快速熔化，从而提高加热效率，通过设置的加料漏斗可以使得添加的原料全部落入至硅坩埚，防止浪费，石墨加热器呈中空无盖的半球状且与熔硅坩埚同轴设置，可以提高熔硅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112853485 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110026219.9
(22)申请日 2021.01.08
(71)申请人 浙江旭盛电子有限公司
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