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一种提高SiC MOSFET器件短路故障响应速度的电路.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种提高SiC MOSFET器件短路故障响应速度的电路.pdf

    本发明公开了一种提高SiCMOSFET器件短路故障响应速度的电路，包括去饱和比较电路、驱动电路、第一电流通道、第二电流通道和箝位电路。本发明通过增设去饱和充电回路，来提高去饱和检测电容的充电速度；当发生短路时，此时箝位电路的电压升高，由于在第一电流通道的基础上增加了第二电流通道，去饱和电容电压升高速度更快，实现故障开关管的快速关断，从而快速抑制开关管短路电流，降低了短路故障对器件的损害。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112865767 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110030399.8 (22)申请日 2021.01.11 (71)申请人 南京航空航天大学 地址

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