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具有台阶形貌钝化层堆叠的高压半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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具有台阶形貌钝化层堆叠的高压半导体器件.pdf

    一种高压半导体器件包括高压导电结构和在高压导电结构处或附近的台阶形貌。层堆叠覆盖台阶形貌。层堆叠包括电绝缘缓冲层、在电绝缘缓冲层之上的SiC层、以及在SiC层或SiC层的氮化表面区之上的氮化硅层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864232 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202010825088.6 (22)申请日 2020.08.17 (30)优先权数据

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