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- 2023-06-08 发布于四川
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一种半导体器件，包括包含第一有源区和第二有源区的衬底、位于第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案、以及与第一有源图案和第二有源图案交叉的栅电极。栅电极可以包括位于第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第一电极部分可以包括第一金属图案以及位于该第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括第三金属图案以及位于该第三金属图案上的第四金属图案。第一金属图案可以包括第一线路部以及从该第一线路部延伸的第一竖直部，而第三金属图案可以包括第二线路部以及从该第二线路部延伸的第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115732504 A
(43)申请公布日 2023.03.03
(21)申请号 202210740758.3
(22)申请日 2022.06.27
(30)优先权数据
10-2021-0113952
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