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磁存储装置.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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磁存储装置.pdf

    实施方式提供能够提高磁阻效应元件的转变消除层的垂直磁各向异性的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：第1磁性层(11)，具有可变的磁化方向；第2磁性层(12)，具有固定了的磁化方向；非磁性层(13)，设置于第1磁性层与第2磁性层之间；第3磁性层(14)，设置于第1磁性层、第2磁性层及非磁性层的下层侧，具有相对于第2磁性层的磁化方向反平行的固定了的磁化方向，由钴(Co)及铂(Pt)的合金形成；及缓冲层(16)，设置于第3磁性层的下层侧，包含含有铼(Re)的第1层部分。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115734701 A (43)申请公布日 2023.03.03 (21)申请号 202210757254.2 H10N 59/00 (2023.01)

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