基于微区电化学刻蚀的晶体管沟道及源漏电极的制备方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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基于微区电化学刻蚀的晶体管沟道及源漏电极的制备方法.pdf

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本发明属于电子器件制备领域，具体为一种基于微区电化学刻蚀的晶体管沟道及源漏电极的制备方法。本发明方法结合电化学原理及微区自限域加工技术，具体利用装有电解液的微管在基底的特定区域形成一个弯液面，通过在电解液和基底导电金属层间施加电压并使针管相对基底按规划好的路径和速度移动来制备图案化的电极。本发明通过高效灵活地控制金属材料的微区电化学刻蚀，有效解决了现有掩模电极制造工艺（如光刻和真空蒸镀）中工艺复杂、成本高或分辨率低的问题，对实验室研究与工业生产具有重要意义。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112885722 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202110027507.6 (22)申请日 2021.01.10 (71)申请人复旦