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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明涉及一种晶体等径生长控制方法，包括：S1：设置等径过程中晶体生长的参数，其中，晶体生长的参数包括晶体直径；S2：获取预设时间段内的晶棒的平均生长拉速，所述预设时间段包括当前时间点之前的第一子预设时间段和当前时间点之后的第二子预设时间段；S3：将步骤S2中获得的所述平均生长拉速与当前时间点的预设目标拉速进行对比，并输出对比结果；S4：根据所述对比结果控制晶棒生长温度。本发明还涉及一种晶体等径生长控制装置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112853478 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110019609.3
(22)申请日 2021.01.07
(71)申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司
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