金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管及其制备方法.pdf

本发明涉及的金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管，其包括衬底、栅电极、介电层、第一有源层、第二有源层、二维电子气层、以及源电极和漏电极，第一有源层为金属氧化物异质结电刺激有源层，第二有源层为金属氧化物异质结光刺激有源层，第一有源层通过电脉冲信号刺激调制源电极和漏电极之间的电导率从而实现基于电刺激调制的突触可塑性，第二有源层在白光或不同波长的光刺激下产生兴奋性突触后电流并实现基于光刺激调制的突触可塑性，集成了光刺激和电刺激调制的突触可塑性于单个晶体管上，结构简单，二维电子气实现较高的载流子迁移率，从

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112885911 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202110141958.2 (22)申请日 2021.02.02 (71)申请人西交

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