第八章光刻与刻蚀工艺.pptxVIP

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2023-06-12 发布于广东
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第八章光刻与刻蚀工艺.pptx

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Slide 1;主要内容;第八章光刻与刻蚀工艺;第八章光刻与刻蚀工艺;Slide 5;掩模版;Clean Room净化间;Slide 8;1)清洗硅片 Wafer C;5、对准 Alignment;9、坚膜 Hard Bake;光刻1－清洗;光刻3－涂胶 Spin Coa;光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关;光刻4－前烘Soft Bake;5-6、对准与曝光 Alig;Slide 17;Slide 18;Slide 19;光刻7－曝光后烘焙（后烘，PE;光刻8－显影(Developm;光刻8－显影(Developm;光刻8－显影(Developm;Slide 24;光刻9－坚膜（Hard Bak;光刻10－图形检测（Patte;8.1.2 分辨率;表1 影响光刻工艺效果的一些参;8.1.2 分辨率;8.1.2 分辨率;8.1.2 分辨率;1）数值孔径NA （Numer;Slide 33;8.1.3 光刻胶-Phot;负胶Negative hoto;Slide 36;Slide 37;1)聚合物材料;3)溶剂;Slide 40;1）紫外-汞灯;Slide 42;接触式曝光;Slide 44;Slide 45;分步重复投影光刻机--Step;8.1.6 掩模版（光刻版）;8.1.6 掩模版（光刻版）;基本概念;1）栅掩膜对准 Gate Ma;5）刻蚀多晶 Etch Pol;8.2.1 湿法刻蚀;Si的湿法刻蚀;Si3N4的湿法腐蚀;Slide 55;Slide 56;Slide 57;Slide 58;RIE试验;SiO2和Si的干法刻蚀;Slide 61;Slide 62;Si3N4的干法刻蚀;多晶硅与金属硅化物的干法刻蚀;铝及铝合金的干法腐蚀;8.2.3 干法刻蚀和湿法刻