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- 2023-06-09 发布于四川
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本公开实施例公开了一种三维存储器及其制造方法，所述三维存储器包括：衬底；叠层结构，位于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的第一方向交替层叠设置的导电层和绝缘层；虚拟沟道柱，沿所述第一方向贯穿所述叠层结构，包括沿第二方向延伸的第一子沟道柱和沿第三方向延伸的第二子沟道柱；其中，所述第二方向和所述第三方向，平行于所述衬底所在的平面；在平行于所述衬底所在的平面，所述第一子沟道柱和所述第二子沟道柱交叉；栅线隔离结构，平行于所述第一方向设置在所述叠层结构中，且沿所述第二方向延伸；其中，在平行于所述衬底的平面，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112909004 B
(45)授权公告日 2022.01.07
(21)申请号 202110239664.3 H01L 27/11582 (2017.01)
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