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本发明属于无线通信技术领域，提供一种基于CMOS工艺的应用于毫米波频段的L形宽带宽波束圆极化片上天线，用以解决电磁波传输中的散射问题。本发明包括从下往上依次层叠的接地层1、硅衬底层2、二氧化硅层3及钝化层4，二氧化硅层中设置由分形天线变形形成的L形天线5。本发明中，片上天线能够与CMOS芯片集成，去除了芯片间互连线的影响，使得天线结构更加简单，大大降低制造精度及可靠性的需求，减小了集成的成本，简化了芯片间信号传输的匹配问题，同时极大的节省了系统占用的面积；同时，该片上天线具有宽带宽特性，适用于多
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112909531 B
(45)授权公告日 2022.05.03
(21)申请号 202110208631.2 H01Q 1/48 (2006.01)
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