半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括衬底、形成于衬底上的外延层以及依次形成于外延层远离衬底一侧的多层栅介质层。其中，各层栅介质层上开设有贯穿其中的栅凹槽，且各栅介质层上的栅凹槽的侧壁呈斜坡状。如此，通过多层栅介质层上的侧壁呈斜坡状的栅凹槽，可减缓电场在栅凹槽处的变化幅度，避免电场在栅凹槽处出现突变，从而改善电场尖峰效应，提高器件可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111312816 A (43)申请公布日 2020.06.19 (21)申请号 20201