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本发明的目的在于在经过经由粘接剂层的半导体晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中，提供适于在多层化的半导体元件间实现低的布线电阻且抑制了电阻值偏差的方法。本发明的方法包括第1～第3工序。在第1工序中，准备层叠结构的晶片层叠体Y，所述层叠结构包含晶片(3)、厚度1～20μm的晶片(1T)、以及存在于晶片(3)的主面(3a)与晶片(1T)的背面(1b)之间的厚度0.5～4.5μm的粘接剂层(4)。在第2工序中，通过给定的蚀刻处理，形成从晶片(1T)的主面(1a)至晶片(3)的布线图案的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112913016 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 201980070426.5 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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