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- 2023-06-09 发布于四川
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公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：在衬底上竖直延伸的栅堆叠，栅堆叠包括栅导体层和存储功能层；围绕栅堆叠的外周的有源区，有源区包括第一和第二源/漏区以及它们之间的第一沟道区以及第三和第四源/漏区以及它们之间的第二沟道区，其中，存储功能层介于栅导体层与有源区之间；分别从第一至第四源/漏区横向延伸的第一、第二、第三和第四互连层；以及相对于衬底竖直延伸以穿过第一至第四互连层的源极线接触部。源极线接触部与第一互连层和第二互连层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909012 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110253001.7
(22)申请日 2021.03.08
(71)申请人 中国
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