三维集成电路及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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本发明涉及三维集成电路及其制造方法。所述三维集成电路包括:存储器晶片,所述存储器晶片的金属层设置有多个第一电源线,所述多个第一电源线用于为所述存储器晶片上的电路供电;逻辑晶片,所述逻辑晶片的金属层设置有多个第二电源线,所述多个第二电源线用于为所述存储器晶片上的电路供电;其中所述多个第一电源线中的每一个第一电源线与所述多个第二电源线中的一个相应的第二电源线并联连接。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908987 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110303603.9 (22)申请日 2021.03.22 (71)申请人 西安紫光国芯半导体有限公司

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