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一种半导体封装基座的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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一种半导体封装基座的制造方法.pdf

    本发明公开了一种半导体封装基座的制造方法，半导体封装基座的制造方法包括：厚膜层的通过调节板的加温预热至10分钟，10分钟为厚膜导体材料的预热点，使用者可通过其材质自身的特殊性准时对芯片进行粘贴，当芯片通过厚膜导体材料的特殊性与芯片座的中部粘连后，由于完成粘连的温度要比导电胶要高的多，所以它只会适用于陶瓷绝缘的封装中，同时在也通过调节板对其热量消散的降温速度进行有效的控温作业，使其缓慢降温，避免在突然性的降温冷却过程中出现粘连失败或应力破坏等不良现象，并且当芯片大小长度尺寸不同时，其自身的承重力也

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908864 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110242209.9 (22)申请日 2021.03.04 (71)申请人 上海贸迎新能源科技有限公司

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