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- 2023-06-09 发布于四川
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本发明提供一种三维存储器及其制备方法。制备方法包括:提供晶圆结构,所述晶圆结构包括存储块,所述存储块包括阶梯区域与桥接结构,所述阶梯区域与所述桥接结构在第一方向上连接;在所述桥接结构上形成特征尺寸条;以所述特征尺寸条为基准线对所述阶梯区域进行刻蚀。本发明的特征尺寸条(CDbar)作为量测的基准线准确,特征尺寸条(CDbar)测量出来的阶梯结构的偏移量准确。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909008 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110280903.X
(22)申请日 2021.03.16
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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