一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法.pdf

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本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，具体涉及一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法，该半导体由ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物与P型掺杂剂构成；其中P型掺杂剂由正一价阳离子DA、正一价阳离子DDB、负一价阴离子DX、卤素或拟卤素原子DDX组成；DA生长于钙钛矿或其衍生物的A位，DDB作为掺杂元素生长于钙钛矿或其衍生物的B位，并导致钙钛矿或其衍生物生成X位空位，DX占据钙钛矿或其衍生物的X位，DDX作为掺杂元素占据掺杂元素DDB导致的X位空位，并导致ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物生成空穴，形成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112909174 B (45)授权公告日 2022.04.19 (21)申请号 202110079755.5 H01L 51/50 (2006.