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一种高质量碳化硅衬底及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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一种高质量碳化硅衬底及其制备方法.pdf

    本申请公开了一种高质量碳化硅衬底及其制备方法，该碳化硅衬底的平整度指标warp＜20μm，bow＜20μm，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过10Ω·cm。本申请的碳化硅衬底，平整度指标warp和bow均控制在20μm以内，所述碳化硅衬底的电阻率分布均匀，所述高质量碳化硅衬底具有较好的面型参数和电阻率分布均匀性；该制备方法在退火处理中，通过碳化硅晶体的上下表面覆盖第一盖板和第二盖板，第一盖板和第二盖板散热，降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的温度，从而降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的应力，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284941 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110546515.1 (22)申请日 2021.05.19 (71)申请人 山东

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