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本发明涉及一种LED芯片，尤其涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。一种反极性LED芯片，自下而上依次是P面电极、硅衬底、键合层、P‑高反射膜层、P‑GaP层、P‑AlInP层、MQW有源层、N‑AlInP层、N‑AlGaInP层、N‑GaAs层和N面电极，反极性LED芯片具有第一键合区和第二键合区，通过双键合区共键合技术实现衬底转移，不需要在SiO2介质膜上制作精度要求如此之高的孔洞，极大的简化了制作流程，降低了制作难度，保证了产品的稳定性。双键合区共键合技术在进行衬底转移时不需要用到贵金属‑
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112885945 A
(43)申请公布日 2021.06.01
(21)申请号 202110295582.0
(22)申请日 2021.03.19
(71)申请人 南昌凯捷半导体科技有限公司
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