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一种碳纳米梨状结构材料的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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一种碳纳米梨状结构材料的制备方法.pdf

    本发明公开了一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备镀有镍膜的硅基底放入石英舟，再放入CVD管式炉；(2)常温下，通入缓冲气体，去除CVD管式炉内空气；(3)在缓冲气体的气氛中，将CVD管式炉从室温快速升温至1080℃，再从1080℃升温至1100℃；(4)在缓冲气体气氛下，维持CVD管式炉在1100℃，同时通入经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体，在石英舟上沉积30‑50min；(5)仅通入未经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体，CVD管式炉冷却至室温。本发明制备工艺简单

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112897508 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110264192.7 (22)申请日 2021.03.11 (71)申请人 南昌大学 地址 33

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