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提升磁垂直各向异性的磁性隧道结及磁性随机存储器.pdfVIP

提升磁垂直各向异性的磁性隧道结及磁性随机存储器.pdf

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    本申请提供一种提升磁垂直各向异性的磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括三亚层的多层材料结构形成的覆盖层。本申请通过多层覆盖层结构设计及其工艺，增加来源于覆盖层与自由层界面效应的自由层磁垂直各向异性，并可在结电阻面积积缩小的前提下，保持相对较高的隧穿磁阻率，同时避免覆盖层在沉积或/和退火工艺中，被沉积的金属穿过覆盖层，而到达自由层/底部覆盖层的界面，以保持热稳定性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112928205 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 201911234653.5 审查员 陈学妍 (22)申请日 2019.12.05

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