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本发明涉及半导体的超精密加工技术领域，具体涉及一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法。一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法，包括以下步骤：(1)粗抛光：将硅晶圆衬底用粗抛光液进行化学机械抛光；所述粗抛光液由氧化铈、去离子水、分散剂和pH调配剂制备而成；(2)精抛光：将粗抛光后硅晶圆衬底用精抛光液进行化学机械抛光；所述精抛光液由氧化铈、去离子水和分散剂制备而成。本发明的抛光方法采用两步化学机械抛光方法，通过采用不同粒径的氧化铈抛光液及不同抛光垫和不同pH条件，控制抛光盘的压力大小和中心齿轮转速比
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112908834 B
(45)授权公告日 2021.09.14
(21)申请号 202110179704.X (51)Int.Cl.
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