半导体结构及半导体结构的制造方法.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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半导体结构及半导体结构的制造方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底，衬底中形成有电容结构，电容结构包括下极板、介质层、上极板以及保护层，下极板位于衬底上；介质层覆盖在下极板的表面；上极板覆盖介质层；保护层形成在上极板平行于衬底的表面。通过在上极板的上表面形成的保护层能够改善电容结构的电阻性能，以此改善半导体结构的使用性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112909169 B (45)授权公告日 2022.04.29 (21)申请号 202110117220.2 (56)对比文件