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- 2023-06-09 发布于四川
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本发明提供了一种三维存储器器件及其制造方法。其中，三维存储器器件包括：存储阵列层；外围器件层；设置在所述外围器件层与所述存储阵列层之间的缓冲层；所述缓冲层能够使得所述存储阵列层中存在的第一元素的量大于第一阈值，且所述外围器件层中存在的所述第一元素的量小于第二阈值；所述第一阈值大于所述第二阈值。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112909007 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202110313890.1 H01L 27/11575 (2017.01)
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