《电力电子系统仿真——基于PLECS》11-附录A-电力电子元器件.pptxVIP

电 力 电 子 系 统 仿 真 —— 基 于 PLECS附录A 电力电子器件 A.1功率二极管A.2晶闸管A.3全控型电力电子器件附录A 电力电子器件 附录A 电力电子器件 以开关方式工作的电力电子器件是电力电子技术的基础，包括功率二极管、晶闸管及其派生器件、可关断晶闸管（GTO）、功率晶体管（GTR）、功率场效应管（Power MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和功率集成电路等。 电力电子器件主要指采用硅半导体材料的电力半导体器件，在电压等级和功率要求上都远大于普通半导体器件，因而制造工艺与普通半导体器件有所不同。 图A.1所示为电力电子器件的理想开关模型，它有三个电极，其中A和B代表器件的两个主电极，K是控制开关通断的控制极，通过控制极来控制器件的导通和关断。因处理的电压电流较大，功率损耗和散热问题变得更为突出，一般需要驱动、隔离和保护。图A.1 电力电子器件的理想开关模型 附录A 电力电子器件 1957年晶闸管的问世奠定了电力电子学科基础，之后的几十年，电力电子器件发展非常迅猛，种类越来越多，功能越来越齐全。 根据电力电子器件的可控程度分为不可控器件（功率二极管）、半控型器件（晶闸管）和全控型器件（GTO、GTR等）； 根据电力电子器件参与导电的载流子不同分为双极型器件（GTO、GTR）、单极型器件（Power MOSFET）和混合型器件（IGBT）； 根据驱动信号的不同分为电流驱动型器件（GTO、GTR）和电压驱动型器件（Power MOSFET、IGBT）。 附录A 电力电子器件A.1 功率二极管 功率二极管（Power Diode）是不可控器件，在许多电力电子电路中有着广泛的应用。可作为整流元件，也可作为续流元件，还可以在各种电力电子电路中作为电压隔离、钳位或保护元件。需要根据不同场合的应用要求，选择不同类型的功率二极管。功率二极管的结构和工作原理功率二极管的伏安特性功率二极管的主要参数功率二极管的主要类型 附录A 电力电子器件A.1 功率二极管A.1.1 功率二极管的结构和工作原理功率二极管与普通二极管的工作原理和特性相似，具有单向导电性。实质上，功率二极管是在面积较大的PN 结上加装引线及封装形成的，主要有螺栓式和平板式，其外形、内部结构和电气图形符号如图A.2所示，A为阳极，K为阴极。当PN结外加正向电压（正向偏置）时，在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流，称为正向电流I F，这就是PN结的正向导通状态；图A.2 功率二极管外形、内部结构和电气图形符号当PN结外加反向电压（反向偏置）时，反向偏置的PN结表现为高阻态，几乎没有电流流过，被称为反向截止状态。 附录A 电力电子器件A.1 功率二极管A.1.2 功率二极管的伏安特性功率二极管的伏安特性是其两端所加电压和流过电流的关系曲线，如图A.3所示。二极管外加正向电压必须大于门槛电压UTO后，正向电流才开始明显增加。二极管导通后，正向电流IF由外部电路参数决定，与IF 相对应的二极管两端电压UF为正向压降。图A.3 功率二极管的伏安特性二极管外加反向电压时，反向漏电流很小且随反向电压增大变化不大。当反向电压增大到某一数值后，反向电流突然急剧增大，称二极管反向击穿，对应的电压UBR称反向击穿电压。反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿。发生反向击穿后，只要外电路采取措施能将反向电流限制在一定范围内，反向电压降低后，二极管仍可恢复原来状态。如果反向电流过大，功耗增大导致PN结温度升高，二极管过热而烧毁，造成热击穿。一般半导体器件的损坏都是热击穿损坏。 附录A 电力电子器件A.1 功率二极管A.1.3 功率二极管的主要参数额定正向平均电流IF：在规定的管壳温度和散热条件下，功率二极管长期运行时允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。计算时按有效值相等条件来选取二极管的电流定额，并留有1.5～2倍的裕量。反向重复峰值电压URRM：指二极管反向所能施加最高峰值电压。通常是反向击穿电压的2/3。计算时按二极管可能承受的最高反向峰值电压的2～3倍来选取二极管的定额。正向通态压降UF：功率二极管在规定的壳温和正向电流下工作所对应的正向导通压降。使用时，选择UF较低的二极管可有效降低损耗。最高允许结温TjM：PN结正常工作时所能承受的最高平均温度。根据二极管材料的不同，最高允许结温一般为125℃～175℃。 附录A 电力电子器件A.1 功率二极管A.1.4 功率二极管的主要类型普通二极管（General Purpose Diode，GPD）：工作频率较低，常用于1kHz 以下的整流装置中，因此又称为整流二极管