半导体的n型和p型2.pptVIP

4.掺杂工艺简介 * 半导体中的扩散可以视作在晶格中通过空位或填隙原子形式进行的原子移动。下图显示了2种基本的原子扩散模型。 目前二十九页\总数三十一页\编于二十点 4.掺杂工艺简介 * 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1keV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10um，离子剂量变动范围从用于阈值电压调整的1012/cm3到形成绝缘层的1018/cm3。相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 高能的离子由于与衬底中电子和原子核的碰撞而失去能量，最后停在晶格内某一深度。平均深度由于调整加速能量来控制。杂质剂量可由注入时监控离子电流来控制。主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。 离子注入的分布 目前三十页\总数三十一页\编于二十点 4.掺杂工艺简介 中等电流离子注入机的示意图 目前三十一页\总数三十一页\编于二十点 * * * * * * * * * * * * * * * * * 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 半导体的n型和p型演示文稿 目前一页\总数三十一页\编于二十点 本章内容 * 1.半导体概述 2.本征半导体 3.杂质半导体 4.掺杂工艺简介 目前二页\总数三十一页\编于二十点 1.半导体概述 * 根据物体导电能力（电阻率