提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件.pdfVIP

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2023-06-10 发布于四川
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提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件.pdf

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一种提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件，该方法引入一个电压偏置管，使碳化硅LDMOS在正向导通时漂移区表面电子浓度增大，单个电子被漂移区上方氧化层表面陷阱俘获的概率降低，电子迁移率提高；器件包括P型衬底，P型衬底上有P型隔离层将器件分为LDMOS和电压偏置管。LDMOS包括第一N型漂移区、第一源区、第一漏区、栅氧化层和多晶硅栅，其特征在于，栅氧化层上有4块相互分离的多晶硅场板。电压偏置管包括第二N型漂移区、第二源区、第二漏区，第二N型漂移区内有4个N+注入层。所述多晶硅栅与第二源区

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112951923 B (45)授权公告日 2022.09.16 (21)申请号 202110337941.4 H01L 29/40 (2006.01) (22)申请日 2021.03