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非挥发存储器的制造技术分析 非挥发存储器的制造技术分析 ----宋停云与您分享---- ----宋停云与您分享---- 非挥发存储器的制造技术分析 非挥发存储器（Non-Volatile Memory，NVM）是指在断电后仍能保持数据的存储器，与易失性存储器（Volatile Memory）相对。其优点是不需要外部电源维持数据，适用于各种场合的数据存储，如普通电脑、工业控制、汽车电子等领域。本文将介绍非挥发存储器的制造技术，包括闪存存储器、EEPROM、FRAM、MRAM以及RRAM等类型。 一、闪存存储器 闪存存储器是一种非易失性存储器，其存储单元是由浮栅电晕（Floating Gate）构成的。浮栅电晕是一种介于掺杂源漏极之间的电晕，由于其自身与掺杂源漏极之间有一层氧化物，因此可以将电晕电荷保持在内部。在写入数据时，需要通过给浮栅电晕充放电来改变其电荷状态。在读取数据时，根据浮栅电晕的电荷状态来判断存储单元中存储的数据。 闪存存储器的制造技术包括多晶硅工艺、氧化物工艺、金属堆叠工艺等多种工艺流程。其中，多晶硅工艺是最早采用的制造技术。在此工艺中，需要将多晶硅沉积在硅衬底上，通过刻蚀等方式制作出存储单元的结构。然而，多晶硅工艺制造的闪存存储器存在擦除速度慢、噪声大等问题，因此逐渐被氧化物工艺和金属堆叠工艺所代替。 氧化物工艺是闪存存储器制造中应用较为广泛的一种工艺，其