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2D1R阵列结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-10 发布于四川
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2D1R阵列结构及其制备方法.pdf

    本发明提供一种2D1R阵列结构及其制备方法，其中，2D1R阵列结构包括横向设置的一一对应的m条字线和m条复位线以及纵向设置的n条位线；其中，m和n均为整数，m≥2，n≥2；并且，在各条字线与各条位线的相交处均设置有存储单元；所述存储单元包括第一二极管、第二二极管以及电阻，其中，所述电阻的一端与相对应的位线相连，所述电阻的另一端分别与所述第一二极管的正极以及所述第二二极管的负极相连，所述第一二极管的负极与相对应的字线相连，所述第二二极管的正极与相对应的复位线相连。本发明提供的2D1R阵列结构能够解

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115713955 A (43)申请公布日 2023.02.24 (21)申请号 202211292990.1 (22)申请日 2022.10.21 (71)申请人 昕原半导体（上海）有限公司 地址

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