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本发明涉及一种测试结构及其制备方法，测试结构包括：衬底，衬底内具有若干硅通孔结构，若干硅通孔结构通过连接线连接成若干相互邻近的测试通路，测试通路上具有测试焊盘。上述测试结构能够对硅通孔进行电性监控，能够监控硅通孔之间的短路、漏电情况，能够反映硅通孔的侧壁是否完整以及绝缘层的品质，还能监控多层芯片之间的键合情况以及是否有侧向刻蚀，使得产品良率提升，保障了质量，节约成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112951782 A
(43)申请公布日
2021.06.11
(21)申请号 20191
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